IR推出新型邏輯電平驅動型MOSFET

　　據(jù)悉，International Rectifier（IR）公司的邏輯電平驅動型MOSFET產(chǎn)品線RAD-Hard™日前又推出了60V、100V和250V三個新型號，該系列產(chǎn)品適用于對可靠性要求較高的開關電源、衛(wèi)星配電系統(tǒng)、諧振電源轉換器等。
　　與傳統(tǒng)的MOSFET器件相比，邏輯電平驅動型MOSFET可由CMOS/TTL邏輯電路直接驅動而無需中間器件，從而減少了元件數(shù)量，簡化了驅動電路并且提高了可靠性。此外，較低的通態(tài)電阻（RDS(on)），較快的開關速度和較小的體積，也使得這種新型MOSFET成為傳統(tǒng)器件的理想替代。
　　IR航空航天及軍用產(chǎn)品市場經(jīng)理Eugene Kelly指出：“邏輯電平驅動型MOSFET為控制電路到功率部分的接口提供了一種可靠、高效的解決方案，并且免去了傳統(tǒng)器件所需的驅動電路”。
　　RAD-Hard™系列邏輯電平驅動型MOSFET提供直插和表貼封裝，具體包括SMD-0.5、SMD-2、LCC-28、TO-205AF、TO-257AA、MO-036AB等。