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晶振電路本質(zhì)上是一個交流振蕩電路。當晶振未起振時，兩端會靜止在一個中間電位，通常接近電源電壓的一半。萬用表測得的是穩(wěn)定的直流電壓，因此沒有壓差。這種情況一般是：晶振沒起振，并不是短路。
在晶體的振蕩電路中一般會設計兩個電阻，一個是跨接在晶振兩端，叫做反饋電阻Rf；一個接在IC的輸出端，叫做限流電阻RD;同晶體相連旁接的電容稱之為負載匹配電容，通過調(diào)整容值的大小可以改變振蕩電路的頻率，而這些波形頻率測試就可以觀察的到。
恒溫晶振：利用恒溫槽使晶體振蕩器中石英晶體諧振器的溫度保持恒定，將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到最小的晶體振蕩器。 溫補晶振：利用熱敏電阻搭成溫補網(wǎng)絡，通過計算來補償石英晶體溫度頻率曲線使其平滑，來實現(xiàn)在寬溫度范圍的頻率穩(wěn)定度。
差分晶振通過差分信號輸出，在抗干擾、信號完整性、EMI抑制等方面有顯著優(yōu)勢，能夠提供更穩(wěn)定、更高速性能的時鐘信號。 因此差分晶振通常用于高速通信系統(tǒng)、光模塊、高速串行接口（如PCIe、USB 3.x）等場景。
晶振是電子設備中的關鍵元件，為各類電子產(chǎn)品提供穩(wěn)定的時鐘信號。了解晶振的主要參數(shù)能夠更好地了解晶振性能以及如何根據(jù)參數(shù)選擇合適的晶振。
晶振在最低階振動模式下產(chǎn)生的頻率，也就是它的“主振動頻率”。基頻是晶振最基礎、最主要的振動頻率，其他振動模式（如泛音）都是基于基頻的倍數(shù)或衍生。基頻決定了晶振的核心工作頻率。
LVPECL電平的差分擺幅較大（典型值約800mV），共模電壓較高（約1.3V-1.9V），需外部端接電阻匹配；而LVDS差分擺幅較小（350mV），共模電壓較低（約1.2V），且LVDS接收端內(nèi)置端接電阻?。
有源晶振外接電路有源晶振通常的用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。有源晶振不需要MCU的內(nèi)部振蕩器，連接方式相對簡單。
溫補晶振（Temperature Compensated Crystal Oscillator，TCXO） 是一種通過溫度補償技術(shù)提升頻率穩(wěn)定性的晶體振蕩器。其核心目標是抵消因環(huán)境溫度變化導致的晶體諧振頻率漂移，使輸出頻率更穩(wěn)定。
晶振，即石英晶體振蕩器，是電子設備中用于產(chǎn)生穩(wěn)定振蕩信號的元件。在光模塊中，晶振的主要作用是提供高精度的時鐘信號和頻率控制，確保光模塊在高速傳輸時保持穩(wěn)定性和可靠性。晶振的性能直接影響光模塊的傳輸速率、傳輸距離、功耗和體積等關鍵參數(shù)。
晶振的振蕩本質(zhì)上是一種機械振動（在壓電晶體層面）。當兩個晶振靠得很近時，它們的機械振動可能會相互影響。一個晶振的振動可能會通過電路板或者外殼等介質(zhì)傳遞給另一個晶振，從而改變另一個晶振的振動特性。這種情況在一些對振動較為敏感的高精度測量儀器中尤為重要。
晶振的頻率和振幅是兩個獨立的參數(shù)，它們之間沒有直接的固定關系。但在實際應用中，它們會相互影響并共同決定晶振的性能和應用場景。因此，在選擇晶振時，需要根據(jù)具體的應用需求來綜合考慮這兩個參數(shù)以及其他相關因素。
晶體元件的負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容，即晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。應用時一般在給出負載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。
24MHz 無源晶振為 CPU、GPU、內(nèi)存等組件提供統(tǒng)一的時鐘基準，確保它們按照精確的節(jié)奏協(xié)同工作，使數(shù)據(jù)的傳輸、處理和存儲能夠有條不紊地進行。
晶振是一種頻率元器件，廣泛使用在電子產(chǎn)品中，例如監(jiān)控設備、手機、吸塵器、智能穿戴等產(chǎn)品都會有晶振的存在。我們常見到的晶振有插件晶振，貼片晶振。
晶振切割工藝就是對晶體坐標軸某種角度去切割。切型有非常多的種類，因為石英是各向異性的，所以不同的切型其物理性質(zhì)不同。切面的方向與主軸的夾角對其性能有著非常重要的影響，比如頻率穩(wěn)定性、Q值、溫度性能等。
發(fā)個拆解帖，看有沒有懂行的朋友估一下這臺設備的成本大概是多少，再看看這臺異國他鄉(xiāng)的設備用了哪些器件。
2024-08-18
2024-05-16
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