CCD和CMOS在制造上的主要區別是CCD是集成在半導體單晶材料上，而CMOS是集成在被稱做金屬氧化物的半導體材料上，工作原理沒有本質的區別。CCD只有少數幾個廠商例如索尼、松下等掌握這種技術。而且CCD制造工藝較復雜，采用CCD的攝像頭價格都會相對比較貴。事實上經過技術改造，目前CCD和CMOS的實際效果的差距已經減小了不少。而且CMOS的制造成本和功耗都要低于CCD不少，所以很多攝像頭生產廠商采用的CMOS感光元件。成像方面：在相同像素下CCD的成像通透性、明銳度都很好，色彩還原、曝光可以保證基本準確。而CMOS的產品往往通透性一般，對實物的色彩還原能力偏弱，曝光也都不太好，由于自身物理特性的原因，CMOS的成像質量和CCD還是有一定距離的。但由于低廉的價格以及高度的整合性，因此在攝像頭領域還是得到了廣泛的應用。

　　CCD是目前比較成熟的成像器件，CMOS被看作未來的成像器件。因為CMOS結構相對簡單，與現有的大規模集成電路生產工藝相同，從而生產成本可以降低。從原理上，CMOS的信號是以點為單位的電荷信號，而CCD是以行為單位的電流信號，前者更為敏感，速度也更快，更為省電。現在高級的CMOS并不比一般CCD差，但是CMOS工藝還不是十分成熟，普通的SMOS一般分辨率低而成像較差。

　　CCD或CMOS，基本上兩者都是利用矽感光二極體(photodiode)進行光與電的轉換。這種轉換的原理與各位手上具備“太陽電能”電子計算機的“太陽能電池”效應相近，光線越強、電力越強;反之，光線越弱、電力也越弱的道理，將光影像轉換為電子數字信號。

　　比較CCD和CMOS的結構，ADC的位置和數量是最大的不同。簡單的說，按我們在上一講“CCD感光元件的工作原理(上)”中所提之內容。CCD每曝光一次，在快門關閉后進行像素轉移處理，將每一行中每一個像素(pixel)的電荷信號依序傳入“緩沖器”中，由底端的線路引導輸出至CCD旁的放大器進行放大，再串聯ADC輸出;相對地，CMOS的設計中每個像素旁就直接連著ADC(放大兼類比數字信號轉換器)，訊號直接放大并轉換成數字信號。

　　兩者優缺點的比較

　　CCD與CMOS

　　由于構造上的基本差異，我們可以列出兩者在性能上的表現之不同。CCD的特色在于充分保持信號在傳輸時不失真(專屬通道設計)，透過每一個像素集合至單一放大器上再做統一處理，可以保持資料的完整性;CMOS的制程較簡單，沒有專屬通道的設計，因此必須先行放大再整合各個像素的資料。

　　整體來說，CCD與CMOS兩種設計的應用，反應在成像效果上，形成包括ISO感光度、制造成本、解析度、噪點與耗電量等，不同類型的差異：

　　ISO感光度差異：由于CMOS每個像素包含了放大器與A/D轉換電路，過多的額外設備壓縮單一像素的感光區域的表面積，因此相同像素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會低于CCD。

　　成本差異：CMOS應用半導體工業常用的MOS制程，可以一次整合全部周邊設施于單晶片中，節省加工晶片所需負擔的成本和良率的損失;相對地CCD采用電荷傳遞的方式輸出資訊，必須另辟傳輸通道，如果通道中有一個像素故障(Fail)，就會導致一整排的訊號壅塞，無法傳遞，因此CCD的良率比CMOS低，加上另辟傳輸通道和外加ADC等周邊，CCD的制造成本相對高于CMOS。

　　解析度差異：在第一點“感光度差異”中，由于CMOS每個像素的結構比CCD復雜，其感光開口不及CCD大，相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時，CCD感光器的解析度通常會優于CMOS。不過，如果跳脫尺寸限制，目前業界的CMOS感光原件已經可達到1400萬像素/全片幅的設計，CMOS技術在量率上的優勢可以克服大尺寸感光原件制造上的困難，特別是全片幅24mm-by-36mm這樣的大小。

　　噪點差異：由于CMOS每個感光二極體旁都搭配一個ADC放大器，如果以百萬像素計，那么就需要百萬個以上的ADC放大器，雖然是統一制造下的產品，但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在，很難達到放大同步的效果，對比單一個放大器的CCD，CMOS最終計算出的噪點就比較多。

　　耗電量差異：CMOS的影像電荷驅動方式為主動式，感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出;但CCD卻為被動式，必須外加電壓讓每個像素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特(V)以上的水平，因此CCD還必須要有更精密的電源線路設計和耐壓強度，高驅動電壓使CCD的電量遠高于CMOS。