集成電路用納電子器件模型研究取得新進展
北京大學教授何進博士率領的微電子學研究院納太器件和電路研究組，在教育部留學回國人員科研啟動基金和國家自然科學基金支持下，最近在CMOS集成電路用納器件模型領域取得重要突破，成果在國際電子電氣工程師協會相關領域最權威的學術期刊《電子器件雜志，IEEETrans.ElectronDevices》2007年9月刊的“納電子器件模型和模擬專輯（SpecialIssueonSimulationandModelingofNanoelectronicsDevices）上發表。這是該研究組繼去年在該權威期刊的“先進模型和45納米模型挑戰”專輯（Specialissueonadvancedcompactmodelsand45-nmmodelingchallenging上發表納米CMOS器件物理基本解和MOS器件量子效應模擬兩篇重要論文以來，在微納電子和集成電路器件模型領域取得的又一最新進展。
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