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      英特爾宣布邁向無鉛處理器新時代

      美國加州圣克拉拉,2007年5月22日 英特爾公司今天宣布,從其45納米高-k金屬柵極處理器全部產品系列開始,英特爾下一代的處理器將實現百分之百的無鉛化。英特爾45納米高-k產品系列包括下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以及英特爾®至強®處理器。采用最新45納米高-k技術的處理器將于2007年下半年開始投產。
      英特爾公司技術與制造事業部副總裁兼封裝測試技術發展總監Nasser Grayeli指出:從淘汰鉛的使用、致力于提高我們產品的能效,到降低空氣排放和提高水及其他材料的循環利用,英特爾正積極地朝著環境可持續發展的目標邁進。


      即將投產的英特爾45納米高-k柵介質+金屬柵極處理器系列將采用新的封裝技術。該技術將使用銅質凸焊點(bump)和一種錫/銀/銅的合金(如圖所示)來替換掉原來的錫/鉛合金焊料,這些焊料起著連接芯片(silicon die)到封裝底層的作用。

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