高頻、高效、低壓大電流化、標準化是開關電源的發展趨勢
1在封裝結構上正朝著薄型和超薄型方向發展
以前標準模快的高度是12.7mm（0.5英寸），最近已下降到9.53mm（0.375英寸），一般客戶要求薄型封裝尺寸為7.5mm（0.295英寸），8.5mm（0.335英寸），10mm（0.394英寸）。外形尺寸趨于國際標準化尺寸，多為1/8、1/4、1/2、3/4和全磚式結構，輸出端子相互兼容的設計日趨明顯。模塊內部控制電路傾向于采用數字控制方式，非隔離式DC/DC變換器比隔離式增長速度快，分布式電源比集中式電源發展快。
2低電壓大電流化
隨著半導體工藝等級未來十年將從0.18μm向50nm邁進，芯片所需最低電壓最終將變為0.6V，但輸出電流將朝著大電流方向發展。據市場調查，隨著半導體工藝的發展，電源對各種電壓的需求百分率走勢。
可以看出未來用戶所需電源電壓有下降趨勢，估計不久將來1V及1V以下的電源需求量將會有明顯增加。
3高效化
應用各種軟開關技術，包括無源無損軟開關技術、有源軟開關技術（如ZVS/ZCS諧振、準諧振）、恒頻零開關技術、零電壓、零電流轉換技術及目前同步整流用MOSFET代替整流二極管都能大大地提高模塊在低輸出電壓時的效率，而效率的提高使得敞開式無散熱器的電源模塊有了實現的可能。這類模塊是當今世界模塊發展的潮流，必將得到廣泛應用。隨著器件性能的改變，電源效率即將達到92％（5V）、90％（3.3V）、87.5％（2V）。
4大電流和高密度化
1991年高功率密度定義為每立方英寸輸出功率25W，以后逐年增加，1994年為每立方英寸36W，1999年為每立方英寸52W，到2001年為每立方英寸96W，現在每立方英寸達數百W。在全球范圍內高功率密度直流轉換模塊市場以每年16.8％的增長速度向前發展。輸出電流將增長到半磚80A、1/4磚50A。目前，日本TDK公司推出新一代分布式隔離型DC/DC轉換器，其參數為1/4磚輸入電壓42V～58V、輸出電壓12V、輸出電流27A、效率為95％，功率密度已達每立方英寸236W；1/8磚輸入電壓42V～58V、輸出電壓12V、輸出電流13.5A、效率為95％，功率密度已達每立方英寸214W。
5高頻化
為了縮小開關電源的體積，提高電源的功率密度并改善動態響應，小功率DC/DC變換器的開關頻率已由現在的200kHz～500kHz提高到1MHz以上，但高頻化又會產生新的問題，如開關損耗以及無源元件的損耗增大，高頻寄生參數的影響以及高頻電磁干擾增大等。
以前標準模快的高度是12.7mm（0.5英寸），最近已下降到9.53mm（0.375英寸），一般客戶要求薄型封裝尺寸為7.5mm（0.295英寸），8.5mm（0.335英寸），10mm（0.394英寸）。外形尺寸趨于國際標準化尺寸，多為1/8、1/4、1/2、3/4和全磚式結構，輸出端子相互兼容的設計日趨明顯。模塊內部控制電路傾向于采用數字控制方式，非隔離式DC/DC變換器比隔離式增長速度快，分布式電源比集中式電源發展快。
2低電壓大電流化
隨著半導體工藝等級未來十年將從0.18μm向50nm邁進，芯片所需最低電壓最終將變為0.6V，但輸出電流將朝著大電流方向發展。據市場調查，隨著半導體工藝的發展，電源對各種電壓的需求百分率走勢。
可以看出未來用戶所需電源電壓有下降趨勢，估計不久將來1V及1V以下的電源需求量將會有明顯增加。
3高效化
應用各種軟開關技術，包括無源無損軟開關技術、有源軟開關技術（如ZVS/ZCS諧振、準諧振）、恒頻零開關技術、零電壓、零電流轉換技術及目前同步整流用MOSFET代替整流二極管都能大大地提高模塊在低輸出電壓時的效率，而效率的提高使得敞開式無散熱器的電源模塊有了實現的可能。這類模塊是當今世界模塊發展的潮流，必將得到廣泛應用。隨著器件性能的改變，電源效率即將達到92％（5V）、90％（3.3V）、87.5％（2V）。
4大電流和高密度化
1991年高功率密度定義為每立方英寸輸出功率25W，以后逐年增加，1994年為每立方英寸36W，1999年為每立方英寸52W，到2001年為每立方英寸96W，現在每立方英寸達數百W。在全球范圍內高功率密度直流轉換模塊市場以每年16.8％的增長速度向前發展。輸出電流將增長到半磚80A、1/4磚50A。目前，日本TDK公司推出新一代分布式隔離型DC/DC轉換器，其參數為1/4磚輸入電壓42V～58V、輸出電壓12V、輸出電流27A、效率為95％，功率密度已達每立方英寸236W；1/8磚輸入電壓42V～58V、輸出電壓12V、輸出電流13.5A、效率為95％，功率密度已達每立方英寸214W。
5高頻化
為了縮小開關電源的體積，提高電源的功率密度并改善動態響應，小功率DC/DC變換器的開關頻率已由現在的200kHz～500kHz提高到1MHz以上，但高頻化又會產生新的問題，如開關損耗以及無源元件的損耗增大，高頻寄生參數的影響以及高頻電磁干擾增大等。
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