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      三星Hynix聯手研發新一代半導體芯片
      
			
      
				
      
					分類：行業資訊
					日期：2008-06-28 00:00:00
					來源：
									
      
			
      
			
      
			　　世界頂級芯片制造商三星電子與Hynix周三宣布，將聯手發展下一代半導體芯片。 
      　　據國外媒體報道，三星與Hynix表示，雙方將合作進行旋轉力矩轉移-磁性隨機存儲器(STT-MRAM)芯片的研發工作，并將致力于使其成為下一代450毫米晶圓的行業標準。 
      　　三星與Hynix表示，研發工作將于8月份開始著手實施。 
      　　三星與Hynix預計，全球新一代芯片市場將在2012年左右趨于成熟。      			
      
		
      
				
      
			
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