Vishay的新一代 TrenchFET® MOSFET再度刷新

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計，在4.5V下導通電阻低至1.35mΩ，Miller電荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK® SO-8和1212-8封裝。

　　新款Vishay Siliconix TrenchFET IV在硅設(shè)計、晶圓加工和器件封裝上采用了多項技術(shù)改進措施，為功率電子系統(tǒng)設(shè)計者提供了諸多好處。與前一代器件相比，SiRA00DP的導通電阻與面積乘積減小了60%，在10V電壓下實現(xiàn)了1.0mΩ的極低RDS(on)，4.5V下1.35mΩ的導通電阻達到業(yè)內(nèi)最佳水準。對于設(shè)計者而言，MOSFET的低導通電阻可以實現(xiàn)更低的傳導損耗，減少功率損耗，達到更高的效率。

　　TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一種新型結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計，而沒有明顯增加柵極電荷，克服了經(jīng)常在高晶格數(shù)量器件上出現(xiàn)的這個問題。今天發(fā)布的MOSFET的總柵極電荷較低，使得SiRA04DP在4.5V下導通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)降至56nC-Ω。

　　SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系統(tǒng)效率，降低溫度，采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK® SO-8封裝，SiSA04DN的效率與之相近，3.30mm x 3.30mm PowerPAK 1212-8封裝的面積只有前三款器件的1/3。今天發(fā)布的所有器件的Qgd/Qgs比值僅有0.5或更低。更低的比值可以降低柵極感應電壓，有助于防止擊穿的發(fā)生。

　　SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN適用于高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器和OR-ing應用。典型終端產(chǎn)品包括開關(guān)電源、電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)、POL、通信磚式電源、PC和服務(wù)器。

　　TrenchFET Gen IV經(jīng)過了100%的Rg和UIS測試。這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定和RoHS指令。

　　TrenchFET Gen IV系列中所有產(chǎn)品的完整詳細數(shù)據(jù)請訪問：http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iv/。

　　Vishay Siliconix是業(yè)內(nèi)首家引入Trench MOSFET的供應商。該公司的TrenchFET知識產(chǎn)權(quán)包括大量專利，以及可追溯到20世紀80年代早期的基礎(chǔ)技術(shù)專利。每一代新的TrenchFET技術(shù)生產(chǎn)出來的產(chǎn)品都將各種計算、通信、消費電子和其他應用中功率MOSFET的性能指標提高了相當可觀的數(shù)值。

　　器件規(guī)格表：

　　TrenchFET Gen IV MOSFET現(xiàn)可提供樣品，在2012年1季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。