恩智浦推出雙電源電壓ARM Cortex-M0微控制器

　　恩智浦半導體NXPSemiconductorsN.V.近日宣布推出LPC1100LV系列，這是全球首款支持1.65V至1.95VVDD和1.65V至3.6VVIO雙電源電壓的ARM®Cortex™-M0微控制器。LPC1100LV系列采用2mmx2mm微型封裝，性能達到50MIPS，功耗比同類3.3VVDD器件低三倍以上。LPC1100LV平臺專門針對電池供電型終端應用而設計，包括手機、平板電腦、超級本（Ultrabooks™）以及有源電纜、相機和便攜式醫(yī)療電子設備的移動配件。

　　恩智浦半導體微控制器業(yè)務部市場總監(jiān)JanJaapBezemer表示：“通常，在單個微型封裝中目前還無法實現(xiàn)高性能雙電源電壓的產品。LPC1100LV系列在同一器件中將電池供電應用的這些關鍵要求獨特地結合起來，使客戶可以打造前所未有的低功耗解決方案。”

　　針對低功耗、快速喚醒而設計

　　得益于恩智浦最新256字節(jié)擦除扇區(qū)和低漏電流的嵌入式專有閃存，LPC1100LV可以在低時鐘頻率下出色地處理線性電流消耗，同時還能降低系統(tǒng)功耗。例如，在智能手機等移動系統(tǒng)中，多數(shù)系統(tǒng)元件需要在大多數(shù)時候保持功耗極低的睡眠模式。在需要使用器件時，必須在極短的時間內快速喚醒并達到峰值性能。而LPC1100LV的喚醒時間為5us，完全符合這一要求。

　　更高效地執(zhí)行要求更高的任務

　　恩智浦的LPC1100LV器件可實現(xiàn)50MIPS的性能，而8/16位MCU的典型性能僅為1至5MIPS。其出色的表現(xiàn)使LPC1100LV可以更快地完成要求極高的任務，并減少保持活動模式的時間，從而進一步降低器件的平均功耗。對于相同的任務，LPC1100LV借助特有的1.65V-1.95VVDD低電壓輸入，功耗比競爭對手采用3.3VVDD輸入的Cortex-M0器件低三倍以上，比典型8/16位MCU低十倍以上。可以充分發(fā)揮LPC1100LV的MIPS性能優(yōu)勢的子系統(tǒng)包括：系統(tǒng)安全和驗證(包括處理AES-256加密)、系統(tǒng)接口和控制(如鍵盤和觸摸屏)、系統(tǒng)外設控制(音頻和照明)以及軟件堆棧的運行(如藍牙低功耗無線電)。