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      Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的MOSFET器件

      Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的MOSFET器件

      器件為業(yè)界首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7 mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET;在10V下具有低至3.3mΩ的低導(dǎo)通電阻,+70℃下的最大電流為24A

      賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 11 月 16 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT,新器件比前一代器件的導(dǎo)通電阻減小43%,同時(shí)具有更高的最大電流并提高效率。SiZ710DT在一個(gè)小尺寸封裝中整合了低邊和高邊MOSFET,具有業(yè)界同類器件中最低的導(dǎo)通電阻,比DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用兩個(gè)分立器件的方案能節(jié)省很多空間。

      Vishay將在Electronica 2010的A5-143展位進(jìn)行產(chǎn)品演示,向來(lái)賓展示在同步降壓電路中該產(chǎn)品的優(yōu)異性能和PowerPAIR封裝節(jié)省空間的功效。

      在PowerPAIR封裝出現(xiàn)之前,設(shè)計(jì)者只能使用兩個(gè)單獨(dú)的器件來(lái)達(dá)到系統(tǒng)電源、POL、低電流DC/DC,以及筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機(jī)所需的低導(dǎo)通電阻和更高的最大電流。SiZ710DT的性能規(guī)格使設(shè)計(jì)者能用SiZ710DT比兩個(gè)分立 PowerPAK 1212-8 器件小1/3,或是比兩個(gè)分立SO-8 器件小2/3的一個(gè)器件完成設(shè)計(jì),節(jié)省方案成本和空間,包括兩個(gè)分立MOSFET之間的PCB間隙和標(biāo)注面積。此外,在更低電流和更低電壓應(yīng)用中替換SO-8器件還可以提高效率。

      一片PowerPAK 1212-8或SO-8的導(dǎo)通電阻可以分別低至5mΩ或4mΩ。然而,SiZ710DT的低邊Channel 2 MOSFET利用了非對(duì)稱結(jié)構(gòu)在優(yōu)化空間上的效果,在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ和4.3mΩ,在+25℃和+70℃下的最大電流為30A和24A。另外,高邊Channel 1 MOSFET的導(dǎo)通電阻也有改善,在10V和4.5V下分別為6.8mΩ和9.0mΩ。

      由于兩個(gè)MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接,布線變得更加簡(jiǎn)單,同時(shí)也減小了PCB印制的寄生電感,提高了效率。此外,SiZ710DT的引腳進(jìn)行了精心布置,輸入引腳排在一側(cè),輸出引腳排在另一側(cè)。

      器件通過(guò)Rg和UIS的所有測(cè)試,符合RoHS指令2002/95/EC,并滿足IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定。

      新款SiZ710DT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。


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      Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。


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