打破“缺芯之痛” 存儲器芯片國產化布局加速

“未來30年，如果我們不解決芯片自己制造的問題，所謂的信息化時代會失去一個非常重要的依托和基礎。”中國科學院微電子研究所所長葉甜春16日在福建晉江舉行的國際集成電路產業發展高峰論壇上如是說。

據介紹，存儲器芯片是智能手機、平板電腦、可穿戴設備等各種智能終端產品不可或缺的關鍵器件。然而，我國一直是全球集成電路領域最大貿易逆差國，每年進口額超過兩千億美元，其中，存儲器芯片是國內集成電路產業鏈的主要短板，長期以來市場一直被海外巨頭牢牢把握。以動態隨機存取存儲器（DRAM）和閃存（NANDFlash）兩種主要存儲芯片為例，今年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而閃存市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

大力發展存儲器不僅是市場需求，同時也是信息安全和產業安全的戰略需要。國家集成電路產業投資基金總裁丁文武在論壇上表示，應該把發展存儲器芯片作為國家戰略來實施。

據悉，為打破“缺芯之痛”，國內多地開始斥巨資布局存儲器芯片研發生產領域。目前，北京、武漢、晉江等地發展存儲器產業的積極性高漲，各種資金也加速向這一領域匯集。

當日，一期投資370億元的福建晉華存儲器集成電路生產線項目在福建晉江開工。該項目著力打造具有自主知識產權的世界級存儲器集成電路產業鏈，預計于2018年9月形成月產6萬片12寸晶圓的生產規模，項目建成后將填補我國主流存儲器集成電路產業空白。

在此之前，北京紫光集團旗下同方國芯宣布計劃定增800億元，投入存儲芯片工廠和上下游產業鏈布局；另外在武漢，今年3月下旬，總投資約1600億元人民幣的存儲器基地項目在東湖高新區正式啟動，計劃到2020年實現月產能30萬片晶圓的生產規模。以此測算，這三家企業在存儲器芯片方面的投資總額將超過2700億人民幣。

出席論壇的臺灣集邦科技研究協理郭祚榮在接受記者采訪時表示，目前海外企業在存儲器領域資本輸出放緩，產出也會相應減少，這為大陸企業帶來良好契機。未來五到十年內，大陸企業有機會與世界行業巨頭平起平坐。

充沛的資金支持和巨大的內需市場，以及業已形成的本土化集成電路產業生態，為國內企業進軍存儲器芯片領域提供了發展基礎。但不容忽視的是，存儲器芯片面臨高技術壁壘和激烈的全球化競爭，之前就有許多涉足存儲器芯片領域的廠商最后被迫退出市場的先例。

為此，葉甜春表示，國內企業在當前新形勢下發展存儲器產業，不應只是簡單追趕，而要更加注重技術原創和市場創新；應做好長期準備，在資金上確保持續投入；另外，更為關鍵的是，要在立足自身市場特點的基礎上追求世界領先水平。