中國首顆超級IGBT芯片打破技術壟斷

　　由中國自主研制的國內唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊，在中國南車株洲所正式亮相，這款超級IGBT芯片代表了中國功率半導體器件行業IGBT技術的最高水平。

　　該技術此前被國外企業壟斷

　　IGBT中文名為“絕緣柵雙極型晶體管”。此前，高壓高功率密度IGBT技術幾乎全部被國外少數幾家企業壟斷，國內還是一片空白，使得中國關鍵產業發展在很大程度上受制于人。從傳統的電力、機械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰略性新興產業，高壓高功率密度的IGBT應用領域廣泛，堪稱現代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產業的“核芯”。

　　從2011年開始，中國南車株洲所通過全球性的戰略布局，吸納國際優勢研發資源，對該項高端技術進行自主攻關，終于在2012年12月份開發出國內首款從芯片到模塊完全自主化的3300伏等級的IGBT芯片，并在此基礎上，又成功研制出4500伏、6500伏高功率密度IGBT芯片及其模塊。

　　國內每年IGBT需求超50億元

　　這款超級IGBT芯片亮相于中國南車株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊研究開發”項目鑒定會。來自中國科學院、中國工程院的四位院士以及來自中科院微電子所、南京大學、中南大學等科研單位的權威專家一致認為：中國南車株洲所研制的高壓高功率密度IGBT系列器件具有耐壓高、電流大，功率損耗低、動態性能好等諸多優點，經歷了嚴苛的性能測試和試驗考核，而且具有在軌道交通、柔性直流輸電等重大工程項目的實際應用業績。其成果總體技術處于國際領先水平，填補了國內行業空白，實現了中國在高端IGBT技術領域與國際先進水平接軌，具有重大戰略意義。

　　據悉，目前，中國已成為世界上IGBT產品最大的消費市場，以高速動車組、大功率機車、新能源裝備、電網為龍頭的國內變頻產業每年的IGBT需求量超過50億元，而且每年以15%以上的速度增長。