利用PowerPAK®封裝的新款-40V和-30V MOSFET擴(kuò)充Gen III P溝

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 7 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)較低的導(dǎo)通電阻，是首款-40V P溝道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封裝的-30V MOSFET。

　　SiS443DN和SiSS27DN適用于24V、19V和12V負(fù)載開關(guān)，以及移動(dòng)計(jì)算、智能手機(jī)和平板電腦中電源管理等各種應(yīng)用的適配器和電池開關(guān)。這些器件的低導(dǎo)通電阻在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，使設(shè)計(jì)者能夠在電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用能源，并延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。

　　在需要更高電壓的應(yīng)用里，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封裝的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高導(dǎo)通電阻。在導(dǎo)通電阻非常重要的場(chǎng)合，SiSS27DN提供了極低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)導(dǎo)通電阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封裝。

　　SiS443DN和SiSS27DN進(jìn)行了100%的Rg和UIS測(cè)試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU

　　VISHAY簡(jiǎn)介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

　　TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix公司的注冊(cè)商標(biāo)。

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