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      TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管,可使放大器尺寸減小50%

        中國 上海 - 2012年12月18 日 - 技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司(納斯達克代碼:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半,同時改進效率和增益。這些新的氮化鎵晶體管可在直流至6 GHz寬廣的工作頻率上提供30-37W (CW) 射頻輸出功率。它們是商業(yè)通信和測試設備系統(tǒng)等類似的寬帶系統(tǒng)應用的理想選擇。

        TriQuint新的氮化鎵功率晶體管包括28V的T1G6003028-FS,其工作頻率為直流至6 GHz,提供30W的輸出功率,在3.5 GHz和6 GHz頻率時的效率分別為55%和44%。T1G6003028-FL提供相同的性能,并且采用法蘭封裝來滿足不同封裝的要求。TriQuint新的32V的T1G4003532-FS和法蘭封裝的T1G4003532-FL是用于S波段及類似應用的理想選擇。它們在直流至3.5 GHz工作頻率下提供37W (CW) 輸出功率。上述兩種32V器件均在3.5 GHz和6 GHz分別提供大于16dB和10dB的增益;其附加功率效率(PAE) 在5GHz和6GHz分別為60%和49.6%。

        所有四款新的氮化鎵晶體管均可承受高達10:1的駐波比(VSWR) 失配而不損害功能,同時為在高漏偏壓條件下工作而優(yōu)化,從而降低系統(tǒng)成本和散熱管理成本。所有器件均可出口至大多數(shù)國家;詳情請與TriQuint聯(lián)系。

        技術規(guī)格 – 新的TriQuint 氮化鎵晶體管:

      T1G6003028-FS

      直流6 GHz氮化鎵射頻功率晶體管:30W3.5 GHz, 增益14dB6 GHz時,增益10dB;漏極效率:3.5 GHz時為55%, 6 GHz時為44%28V200 mA承受10:1 駐波比EAR99無法蘭封裝。

      T1G6003028-FL

      直流6 GHz氮化鎵射頻功率晶體管:30W3.5 GHz, 增益14dB6 GHz時,增益10dB;漏極效率:3.5 GHz時為55%, 6 GHz時為44%28V200 mA承受10:1 駐波比EAR99法蘭封裝。

      T1G4003532-FS

      直流3.5 GHz氮化鎵射頻功率晶體管:30W CW3.5 GHz, 增益超過16dB6 GHz時,增益10dB附加功率效率5 GHz時為60%, 6 GHz時為49.6%32V2.4 A承受10:1 駐波比EAR99無法蘭封裝。

      T1G4003532-FL

      直流3.5 GHz氮化鎵射頻功率晶體管:37W CW3.5 GHz, 增益超過16dB6 GHz時,增益10dB附加功率效率5 GHz時為60%, 6 GHz時為49.6%32V2.4 A承受10:1 駐波比EAR99無法蘭封裝。

        如需樣品和評估板請聯(lián)系產(chǎn)品營銷部。訪問TriQuint網(wǎng)站來接洽所在地區(qū)的銷售代表。

        關于TriQuint

        成立于1985年的TriQuint半導體公司(納斯達克代碼:TQNT)是提供世界領先水平的通信、國防和航空航天公司創(chuàng)新射頻解決方案與代工服務的全球領先供應商。世界各地的人們和組織都需要實時、不間斷的通信聯(lián)系;TriQuint產(chǎn)品可幫助降低用于提供關鍵語音、數(shù)據(jù)和視頻通信的互聯(lián)移動設備與網(wǎng)絡的成本和提高它們的性能。憑借業(yè)內(nèi)最廣泛的技術系列、公認的研發(fā)領先地位以及在大規(guī)模制造領域的專業(yè)知識,TriQuint生產(chǎn)基于砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN)、聲表面波 (SAW) 和體聲波 (BAW) 技術的標準及定制產(chǎn)品。該公司在美國擁有多家已通過ISO9001認證的制造工廠,在哥斯達黎加擁有生產(chǎn)中心,在北美地區(qū)和德國擁有設計中心。欲知更多信息請訪問http://cn.triquint.com/。

        前瞻性聲明

        本TriQuint半導體公司(納斯達克股票代碼:TQNT)新聞稿包含依據(jù)1995年《私人證券訴訟改革法》的“安全港”條款所做的前瞻性聲明。 讀者須知前瞻性聲明包含風險與不確定性。本新聞稿中所做的警示性聲明適用于所有相關聲明,不論它們出現(xiàn)在什么地方。包含‘領導’、‘極’、‘卓越’、‘高性能’、 ‘理想’等字詞或類似表述的聲明應被視為包含不確定性和屬于前瞻性聲明。有許多因素都會影響TriQuint的經(jīng)營結(jié)果,并可能造成其未來實際結(jié)果 與本新聞稿中或者由TriQuint或代表TriQuint所做的任何其他前瞻性聲明中所述的任何結(jié)果出現(xiàn)實質(zhì)性出入,這些因素包括但不限于:與客戶對我們的產(chǎn)品與技術的接受程度及需求的不可預測性和變動性有關的因素,我們生產(chǎn)工廠的能力和我們的供應商在滿足我們的需求方面的因素,我們生產(chǎn)工廠的能力和我們的供應商以足以保持盈利的產(chǎn)量來生產(chǎn)產(chǎn)品的因素,以及TriQuint在美國證券與交易委員會備案的最新10-Q報告中闡述的其他 “風險因素”。本報告和其他報告可在美國證券交易委員會網(wǎng)站 (www.sec.gov) 上找到。本新聞稿的讀者應當理解,這些和其他風險因素可能造成實際結(jié)果與前瞻性聲明中明示/暗示的期望出現(xiàn)實質(zhì)性出入。

        新聞聯(lián)系人:

        TriQuint Semiconductor

        林偉琪(Claudia Pike)

        亞太區(qū)營銷傳播經(jīng)理

        電話:+1.5036159715

        Email:Claudia.pike@tqs.com

        GeoMatrix Public Relations LTD.

        喬治(George Qiao)

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