美國舊金山2011年7月12日電 /美通社亞洲/ -- 中微半導體設備（上海）有限公司（以下簡稱“中微”）于本周 SEMICON West 期間發布面向22納米及以下芯片生產的第二代300毫米甚高頻去耦合反應離子刻蝕設備 -- Primo AD-RIE™。基于已被業界肯定的 Primo D-RIE™ 刻蝕設備，中微 Primo AD-RIE 應用了更多技術創新性來解決高端芯片復雜生產過程帶來的挑戰，同時保證了芯片加工的質量。這些技術創新包括：先進的射頻系統保證了刻蝕過程的穩定性和可重復性，更好的調諧能力確保了超精細的關鍵尺寸均勻度，更優異的反應室內壁材料以降低缺失來提高產品良率。

同前一代產品類似，同行業標準相比，Primo AD-RIE 實現了35%到50%的資本效率增益，總體擁有成本降低20%至40%，更加緊湊的產品設計 -- 占地面積比同類最大設備小至少30%，這些都使得 Primo AD-RIE 成為當前半導體設備市場上最高產出率、最低生產成本的先進刻蝕設備。

產品將于今年第三季度付運。第一臺 Primo AD-RIE 將進入亞洲一流芯片代工廠。中微 Primo D-RIE 設備將繼續用于22納米以上的芯片刻蝕加工和部分22納米以下刻蝕工藝的加工。
對于芯片廠，中微新設備投放市場的時機同樣是他們面臨挑戰的時刻。各晶圓廠持續擴大規模和新材料的整合帶來了技術上的障礙，而不斷攀升的資本支出成本影響著利潤。對于刻蝕設備廠商來說，這就意味著要加速生產加工設備的創新步伐，使之更先進、更穩定、更可靠，但同時又應當簡單化并降低成本。這是中微的最佳立足點，也是中微至今已有超過30臺設備進入亞洲9家客戶（其中包括了世界頂級的晶圓生產廠商）的制勝點。為了進一步滿足市場需求，中微正在中國擴大生產能力。今年，中微將在臺灣竹南地區完成建立新的組裝和測試廠房設施。

“客戶都想要最新、最先進的加工技術，然而他們對生產成本的考慮卻比以往都更敏感，”中微公司副總裁、刻蝕產品部總經理朱新萍說，“Primo AD-RIE 為先進的關鍵工藝加工帶來了技術創新和生產力提高的最優化，客戶可以采用更進取的工藝策略，而不必擔心會以生產效率為代價。新老客戶都對我們的產品表示了極大的興趣。”

Primo AD-RIE 基于 Primo D-RIE，具有更多突破性技術創新

Primo AD-RIE 在促進中微第一代刻蝕設備技術創新的同時，又大大擴大了其自身的加工領域。該設備的主要部分是一組創新的少量反應臺反應器的簇架構，可以靈活地裝置多達三個雙反應臺反應器，以達到最佳芯片加工輸出量。每個反應器都可以實現單芯片或雙芯片加工。獨特的反應器腔體設計融合了中微專有的等離子體聚焦和噴淋頭技術，確保了芯片加工的質量。Primo AD-RIE 的一些基本特征使其更具備28納米以下關鍵刻蝕加工的能力，這些基本特征包括：除了已有的60兆赫茲射頻以外，2-13.5兆赫茲可切換射頻使 Primo AD-RIE 加工范圍更加廣泛，獨特的射頻輸入和對稱分布改善了等離子密度的均勻分布，三區氣體分布和雙調諧氣體提高了刻蝕的均勻度和調諧性，靜電吸盤雙區冷卻裝置提高了晶片溫度的可調性并極大改善了晶圓片的刻蝕均勻度。

系統特點和優勢：

去耦合反應離子刻蝕實現了離子濃度和離子能量的獨立控制；

獨特的甚高頻射頻輸入和對稱分布可在大批量生產環境中仍能確保實現重復性結果的精準控制；

具有自主知識產權的等離子體聚焦使刻蝕過程更為穩定可靠，有更寬泛的工藝窗口；

每個反應臺獨立的射頻發生器、各反應臺均勻度的分別控制和刻蝕終點控制，使每片晶圓可以在獨立的反應環境中被刻蝕處理；

從底部供能的高頻射頻提供了穩定、低壓、高密度度的等離子體，保持 low-k 材料的完整性；

具有自主知識產權的、具有快速、穩定、可靠的調諧能力的自隔離射頻匹配裝置；

反應腔內壁選用高純度、耐等離子特殊材料，開發了最佳的材料加工過程，大大降低了損耗，將雜質微粒數降到最低；

電阻上電極直接加熱處理的閉環控制為持續的芯片加工過程提供了精確、快速的溫度控制；

雙反應臺反應器的簇架構，可配置多達六個單芯片加工反應臺，即在較小的占地面積上獲得很高的輸出量；

模塊化的系統架構使安裝和維護操作更簡便。