下半年設(shè)備與良率問題將導致DRAM短缺

據(jù)iSuppli公司，強勁增長的DRAM市場可能在下半年遇到麻煩，由于制造設(shè)備供應(yīng)有限和制程變化方面的挑戰(zhàn)，可能會出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面。

DRAM供需形勢變化無常。預計2010年DRAM出貨量相當于1,590萬個1Gb器件，比去年的1,070萬個增長48.6%。今年的多數(shù)增長將發(fā)生在下半年，最后兩個季度的比特出貨量環(huán)比增長率都將達到11%左右。相比之下，2010年前兩個季度增長率都遠低于10%。

這么高的增長水平集中在六個月之內(nèi)，將使DRAM供應(yīng)的產(chǎn)能面臨壓力。

下圖所示為2009和2010年各季度的DRAM出貨量情況，虛線顯示的是每個季度的比特出貨量增長情況。

設(shè)備與良率問題可能頗具挑戰(zhàn)性

有兩個問題可能影響下半年DRAM供應(yīng)，并導致今年余下時間出現(xiàn)供應(yīng)不足局面。一個問題是制造設(shè)備的供應(yīng)瓶頸，另一個問題是沉浸良率問題，都可能影響供應(yīng)。

全球最大的半導體光刻設(shè)備供應(yīng)商ASMLHoldingN.V.無力供應(yīng)充足的設(shè)備，所以DRAM總體產(chǎn)量仍然是一個問題。iSuppli公司認為，雖然ASML今年似乎能夠額外提供33臺沉浸式掃描儀，但也不足以解決上述瓶頸問題。

第二個問題可能更加嚴重，與50納米以下制程的良率有關(guān)，可能影響DRAM供應(yīng)。小于50納米，就必須使用沉浸設(shè)備。誠然，DRAM產(chǎn)業(yè)中的大型廠商，如韓國三星電子和海力士半導體，以及美國美光，都憑借雄厚的資源和生產(chǎn)NAND閃存的經(jīng)驗，成功地過渡到了尺寸更小的光刻技術(shù)。NAND閃存在光刻技術(shù)方面領(lǐng)先于DRAM。但是，對于資源有限的廠商，或者目前正在開始向更小制程轉(zhuǎn)移的廠商來說，制程變化所帶來的困難可能導致其總體產(chǎn)量下降，從而影響DRAM產(chǎn)業(yè)的總體比特出貨量增長。

日本DRAM供應(yīng)商爾必達就處于制程變遷之中。第二季度，爾必達預計從6X納米轉(zhuǎn)向45納米，這在光刻技術(shù)方面是一大跳躍，將帶來良率問題。iSuppli公司認為，如果爾必達及其伙伴RexchipElectronicsCorp.意外遇到良率問題，這兩家公司的比特出貨量都可能受到重大影響。

進而，可能在今年剩余時間內(nèi)沖擊全球比特出貨量增長。因此，預計2010年總體比特出貨量增長率比預期低2-4個百分點，導致預期年度增長率最低可能從49%降至45%。

最終，比特出貨量增長率下降可能意味著價格上漲。在這種情況下，真正的贏家將是已經(jīng)跳過沉浸光刻障礙的廠商：三星和美光這樣的產(chǎn)業(yè)巨頭。由于它們供應(yīng)穩(wěn)定，價格上漲只會進一步提高其利潤。