超越英特爾 臺積電調升資本支出至59億美元

看好半導體后市，晶圓代工廠臺積電加碼投資，在29日法說會中，宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元，調高至59億美元，超越英特爾(Intel)的52億美元，僅次于韓國三星電子(SamsungElectronics)的228.8億美元，董事長張忠謀亦將2010年全球晶圓代工產業成長預估值上修至40%。

針對市場憂慮晶圓廠積極擴充產能，將使得2011年有產能過剩的疑慮，張忠謀重申，臺積電向來是依客戶的需求擴充產能，而非先擴充產能才找客戶。張忠謀并指出，2010年全球半導體產值可望年增3成，維持先前預估不變，全球晶圓代工產業成長預估值自原預估的36%，上修至40%。

張忠謀表示，在59億美元的資本支出，其中58億美元用于投資晶圓廠，另外1億美元將用來投資新事業。他進一步指出，用于投資晶圓廠的58億美元中，79%用來擴充65奈米、40奈米及28奈米制程，13%用來投資超越摩爾定律(More-than-Moore)的新制程技術，另外8%用于研發。

為加速擴充產能，臺積電2010年擴充竹科晶圓12廠(Fab12)與南科晶圓14廠(Fab14)兩座超大型晶圓廠的產能擴充，目前Fab12與Fab14合計月產能產能已超過20萬片約當12寸晶圓，預計年底將擴充至24萬片。位于中科的12寸超大型晶圓廠(GIGAFAB)晶圓15廠(Fab15)也于7月中動土，未來單月產能可望達到10逾萬片。

臺積電財務長何麗梅表示，臺積電第2季資本支出16.57億美元，累計上半年資本支出達31.01億美元。第2季總產能已擴增至274.9萬片8寸約當晶圓，較第1季增加7.1%，下半年產能將持續擴增，預期第3季總產能將較第2季增加7%，第4季產能將再增加3.5%。

何麗梅指出，在加速產能擴充計畫后，2010年總產能將達1129.9萬片8寸約當晶圓規模，將較2010年增加14%，增加幅度將較原預估的13%高。其中，先進制程產能將增加36%，也將較原預估的35%高。

在新事業方面，張忠謀指出，臺積電日前投資太陽能電池廠茂迪，2010年也宣布投資美商Stion，取得銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能技術，他也透露，位在中科規劃的CIGS薄膜太陽能電池廠，預計于8月或9月動工。另外新竹的LED廠，則預計于年底前開始將設備進廠。

針對鴻海投資臺灣的相關議題，張忠謀并未回應，不過他也強調，臺灣的投資環境絕對沒有變，而且臺積電在臺中、臺南、新竹都有投資計畫，另外還有LED廠與即將動土的太陽能廠。