Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的首款器件。

　　《今日電子》的編輯根據(jù)創(chuàng)新的設(shè)計、在技術(shù)或應(yīng)用方面取得顯著進步，以及性價比的卓越表現(xiàn)，從前一年推出的數(shù)百款產(chǎn)品中進行評選。Vishay的Si7655DN MOSFET因其創(chuàng)新，以及在適配器、電池、負載開關(guān)和電源管理應(yīng)用中取得的成功而入選。

　　《今日電子》Top-10電源產(chǎn)品獎在9月12日北京國賓酒店舉行的電源技術(shù)研討會上頒發(fā)。Vishay北京辦事處的銷售客戶經(jīng)理Alice Wei代表Vishay領(lǐng)獎。

　　普通中文版的獲獎產(chǎn)品名單見下面的網(wǎng)址：

　　http://www.21ic.com/wz/CRXDQWHFA/20130901/20130901.htm

　　Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領(lǐng)先P溝道Gen III技術(shù)，最大導(dǎo)通電阻為3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5 V)。這些性能規(guī)格比最接近的-20V器件高17%或更多。

　　Si7655DN的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者能夠在電路中實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，讓電池運行的時間更長。器件的PowerPAK 1212-8S封裝標稱高度只有0.75mm，比PowerPAK 1212封裝薄28%，可節(jié)省寶貴的電路板空間，同時保持相同的PCB布版樣式。

　　產(chǎn)品數(shù)據(jù)表鏈接：

　　http://www.vishay.com/doc?63617

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

　　PowerPAK是Siliconix公司的注冊商標。

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