芯原將MoSys嵌入式內(nèi)存技術(shù)納入其SOC設(shè)計(jì)

芯原公司和SoC嵌入式內(nèi)存解決方案供應(yīng)商MoSys日前宣布，雙方正在合作通過(guò)向芯原的客戶提供無(wú)縫式的專利技術(shù)利用，以進(jìn)一步拓展MoSys 1T-SRAM技術(shù)的采用。
　　根據(jù)雙方達(dá)成的合作協(xié)議，芯原將把1T-SRAM能力納入其知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品組合當(dāng)中，用于客戶在多個(gè)代工廠的系統(tǒng)芯片(SOC)設(shè)計(jì)。
　　在這種合作關(guān)系下，客戶目前有權(quán)選擇與芯原直接合作來(lái)把MoSys的創(chuàng)新型內(nèi)存技術(shù)整合進(jìn)他們的設(shè)計(jì)當(dāng)中，這些設(shè)計(jì)涉及眾多代工廠的選擇以及高級(jí)加工工藝(如90納米)。通過(guò)利用MoSys已獲得專利的1T-SRAM超高密度內(nèi)存產(chǎn)品，客戶能夠大大降低他們的硅成本，同時(shí)維持高性能和低功耗。
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