我國無源電子元件研究發展及若干戰略思考 2
在電子元件升級換代速度加快、無源集成產業剛剛興起、以及國際性的產業轉移之時，抓住機遇，投入力量，研究開發開發具有自主知識產權的新一代電子元件及無源集成材料系統、模塊設計、及制程工藝，對我國信息技術的長期發展將是十分必要的。
（四）世界各國無源元件研發情況
近年來，隨著電子信息產品升級換代速度的加快，電子元件的進一步升級換代和集成化的問題日益為世界各國政府、產業界和學術界所關注。特別是由于低溫共燒陶瓷（LTCC）等技術的突破使無源集成技術進入了實用化和產業化階段，新一代無源元件和相關的集成技術成為倍受關注的技術制高點。早在上世紀90年代中期，美國政府就曾撥款7000萬美元，實施了一個旨在研究發展無源集成和多芯片組裝的三年計劃。2000年，美國商務部、國家標準與計劃研究院和一些大型企業聯合發起了一個規模更大的“先進嵌入式無源元件聯合研究計劃”，這一為期四年的計劃是通過建立一個國家制造科學中心，推動新一代集成化無源元件的研究開發，其研究內容涉及發展新材料、新制程、以及新的設計工具（軟件），據稱目前已取得重要成果。美國軍方也相當重視電子元件和無源集成技術的研究發展，美國國防部2004財政年度的計劃中，“先進元件開發與樣品”作為列為7個重大計劃之一，預算經費將高達132億美元，其中一部分被用于新一代無源元件及其集成技術方面。歐盟通過其Brite-Euram框架，支持了“微波與電力模塊的快速制造”研究計劃（簡稱RAMP計劃）。日本政府將無源集成技術列入到了政府優先支持的“關鍵技術中心計劃”；德國政府啟動了旨在推進用于衛星通信用集成模塊的KERAMIS項目、旨在研究多功能無源集成模塊的4M項目等。
[被屏蔽廣告> 一些大型高技術企業，如美國杜邦公司、IBM公司、摩托羅拉公司,日本TDK公司、NEC公司、村田公司、3M公司、富士通公司，荷蘭菲利普公司等均投入巨資參與新一代無源電子元件及其集成技術的角逐。2001年，臺灣工業巨頭臺塑集團以LTCC模塊作為切入點，啟動了“科技臺塑”計劃，他們通過購買美國高科技企業的技術，開發藍牙模塊和移動通信產品，進入了電子信息領域。由國際電子與封裝協會（IEAPS）發起的旨在推動世界范圍內無源集成技術發展的名為Ceramic Interconnect Initiative的計劃（簡稱CII）得到了世界各國很多研究結構和企業的積極響應。
（五）研究發展的思路與政策建議
總體思路：以發展新型高端元件為牽引，以關鍵材料為突破口，以提升生產工藝技術為著眼點，將“材料研究－工藝開發－元件生產”相結合。在 “十五”有關項目的研究基礎上，進一步組織力量，通過產學研相結合，發展新型材料，突破關鍵技術，形成自主知識產權，全面提升我國電子元件產業的產品結構和技術水平。
重點發展方向：針對無源電子元件高端產品和無源集成的關鍵技術問題，重點研究開發以下內容：（1）能促進量大面廣的無源元件產品升級換代的核心材料；（2）具有共性的關鍵元件工藝技術；（3）高附加值的高端集成模塊產品。
總體目標：形成我國在無源元件高端產品和無源集成技術方面的自主知識產權；發展出一系列技術指標居國際先進水平新型材料、元件和模塊，及其制程工藝；研制并生產出集成度20以上的無源集成模塊；形成5－10個具有國際先進水平的片式電子元件成果轉化基地及產業鏈，其總生產規模達到年產數百億只無源元件；建立的無源集成標準體系和測試平臺。爭取在“十一五”末，使我國在若干種新一代電子元件產業規模及水平居世界前列，推動我國從電子元件大國走向電子元件強國。為我國3G移動通信、數字電視、載人航天工程等重大計劃的實施提供元件基礎。
研究內容包括：
（1）若干重要電子元件的關鍵材料與相關元件研究：以推動重要元件產品的升級換代和發展新型高端元件產品為目標，探索具有高性能的電子陶瓷和相關材料，為全面實現我國基礎電子元件的升級換代提供材料基礎。包括：高性能介電陶瓷材料及相關元件、高性能軟磁鐵氧體材料及相關元件、高性能微波陶瓷介質材料、高性能壓電陶瓷材料、高性能敏感陶瓷材料。
（2）無源元件工藝中的共性技術研究：面向無源元件的小型化工藝的要求，開展對MLC技術的關鍵工藝環節研究和開發，研究內容包括陶瓷前驅體粉料的超細加工制備工藝（粉體粒度 < 100nm）、高穩定低粘度流延漿料技術、精密流延技術、精密印刷技術、納米－亞微米晶陶瓷燒結技術、高精度封端技術、精密無鉛三層電鍍技術等
（3）無源集成關鍵材料與技術：以實現LTCC材料國產化為目標，發展新一代低溫共燒陶瓷材料系統；發展基于LTCC技術的各種模塊，突破其關鍵技術；圍繞無源集成產業發展的迫切需要解決的一些配套技術，包括高集成度無源集成模塊的模擬、仿真與設計方法、無源集成模塊與新型微波元件的測試技術、以及無源集成技術標準的研究與制定。
（四）世界各國無源元件研發情況
近年來，隨著電子信息產品升級換代速度的加快，電子元件的進一步升級換代和集成化的問題日益為世界各國政府、產業界和學術界所關注。特別是由于低溫共燒陶瓷（LTCC）等技術的突破使無源集成技術進入了實用化和產業化階段，新一代無源元件和相關的集成技術成為倍受關注的技術制高點。早在上世紀90年代中期，美國政府就曾撥款7000萬美元，實施了一個旨在研究發展無源集成和多芯片組裝的三年計劃。2000年，美國商務部、國家標準與計劃研究院和一些大型企業聯合發起了一個規模更大的“先進嵌入式無源元件聯合研究計劃”，這一為期四年的計劃是通過建立一個國家制造科學中心，推動新一代集成化無源元件的研究開發，其研究內容涉及發展新材料、新制程、以及新的設計工具（軟件），據稱目前已取得重要成果。美國軍方也相當重視電子元件和無源集成技術的研究發展，美國國防部2004財政年度的計劃中，“先進元件開發與樣品”作為列為7個重大計劃之一，預算經費將高達132億美元，其中一部分被用于新一代無源元件及其集成技術方面。歐盟通過其Brite-Euram框架，支持了“微波與電力模塊的快速制造”研究計劃（簡稱RAMP計劃）。日本政府將無源集成技術列入到了政府優先支持的“關鍵技術中心計劃”；德國政府啟動了旨在推進用于衛星通信用集成模塊的KERAMIS項目、旨在研究多功能無源集成模塊的4M項目等。
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（五）研究發展的思路與政策建議
總體思路：以發展新型高端元件為牽引，以關鍵材料為突破口，以提升生產工藝技術為著眼點，將“材料研究－工藝開發－元件生產”相結合。在 “十五”有關項目的研究基礎上，進一步組織力量，通過產學研相結合，發展新型材料，突破關鍵技術，形成自主知識產權，全面提升我國電子元件產業的產品結構和技術水平。
重點發展方向：針對無源電子元件高端產品和無源集成的關鍵技術問題，重點研究開發以下內容：（1）能促進量大面廣的無源元件產品升級換代的核心材料；（2）具有共性的關鍵元件工藝技術；（3）高附加值的高端集成模塊產品。
總體目標：形成我國在無源元件高端產品和無源集成技術方面的自主知識產權；發展出一系列技術指標居國際先進水平新型材料、元件和模塊，及其制程工藝；研制并生產出集成度20以上的無源集成模塊；形成5－10個具有國際先進水平的片式電子元件成果轉化基地及產業鏈，其總生產規模達到年產數百億只無源元件；建立的無源集成標準體系和測試平臺。爭取在“十一五”末，使我國在若干種新一代電子元件產業規模及水平居世界前列，推動我國從電子元件大國走向電子元件強國。為我國3G移動通信、數字電視、載人航天工程等重大計劃的實施提供元件基礎。
研究內容包括：
（1）若干重要電子元件的關鍵材料與相關元件研究：以推動重要元件產品的升級換代和發展新型高端元件產品為目標，探索具有高性能的電子陶瓷和相關材料，為全面實現我國基礎電子元件的升級換代提供材料基礎。包括：高性能介電陶瓷材料及相關元件、高性能軟磁鐵氧體材料及相關元件、高性能微波陶瓷介質材料、高性能壓電陶瓷材料、高性能敏感陶瓷材料。
（2）無源元件工藝中的共性技術研究：面向無源元件的小型化工藝的要求，開展對MLC技術的關鍵工藝環節研究和開發，研究內容包括陶瓷前驅體粉料的超細加工制備工藝（粉體粒度 < 100nm）、高穩定低粘度流延漿料技術、精密流延技術、精密印刷技術、納米－亞微米晶陶瓷燒結技術、高精度封端技術、精密無鉛三層電鍍技術等
（3）無源集成關鍵材料與技術：以實現LTCC材料國產化為目標，發展新一代低溫共燒陶瓷材料系統；發展基于LTCC技術的各種模塊，突破其關鍵技術；圍繞無源集成產業發展的迫切需要解決的一些配套技術，包括高集成度無源集成模塊的模擬、仿真與設計方法、無源集成模塊與新型微波元件的測試技術、以及無源集成技術標準的研究與制定。
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