臺積電先進制程/CoWoS先進封裝漲價?

      近日，臺積電在嘉義科學園區(qū)新建的第一座CoWoS廠突然暫停施工，原因是6月初工地發(fā)現疑似文物遺跡。臺積電方表示，P1廠暫時停工，同時啟動P2廠工程先行建設。另外，近期行業(yè)消息顯示，臺積電擬調漲先進制程和先進封裝報價。

      1 臺積電嘉義先進封裝廠暫停施工

　　6月17日消息，臺積電此前在嘉義科學園區(qū)規(guī)劃建設的兩座CoWoS先進封裝廠，第一座CoWoS廠已于5月動工，進行地質勘探工作。但目前現場已暫停施工，原因是6月初工地發(fā)現疑似文物遺跡。

　　嘉義縣南科管理局表示，臺積電在嘉義科學園區(qū)興建的第一座CoWoS廠，6月初挖掘到疑似遺跡，目前暫停施工，并提出應對策略，P1廠暫時停工，同時啟動P2廠工程先行建設，南科管理局認為，完工日期影響不大。

　　臺積電方面表示，將密切關注此次發(fā)現的文物遺跡的處理進展，并與相關部門緊密合作，以確保項目能夠盡快恢復施工。同時，公司也將繼續(xù)致力于提高CoWoS先進封裝產能，以滿足市場對高性能芯片的需求。

　　2  先進制程和CoWoS先進封裝將漲價?

　　近期，行業(yè)最新消息顯示，臺積電擬調漲先進制程和先進封裝報價。

　　先進制程方面，臺積電3nm代工報價漲幅或在5%以上。據悉，隨著臺積電七大客戶(英偉達、AMD、英特爾、高通、聯發(fā)科、蘋果及谷歌)陸續(xù)導入3 納米制程導致供不應求，預期訂單滿至2026年。行業(yè)人士表示，包含3nm、5nm在內的臺積電先進制程節(jié)點，價格都將調整，3nm訂單強勁稼動率滿載，5nm在AI需求推動下也將出現類似情形。

　　臺灣工商時報近日援引供應鏈消息稱，高通驍龍8 Gen 4以臺積電N3E打造，較上一代報價激增25%，不排除引發(fā)后續(xù)漲價趨勢。但業(yè)內也指出，漲價幅度合理，因為相較5nm，3nm每片晶圓成本價格大約就貴了25%，且這一漲幅還未考慮整體投片數量、設計架構等因素。

　　另外，據Wccftech消息，漲價的不止高通，英偉達、蘋果、AMD也計劃提高熱門AI硬件的價格。

　　公開資料顯示，臺積電3nm家族成員包含N3、N3E、N3P、N3X、N3A等。其中，N3E去年Q4量產，瞄準AI加速器、高端智能手機、數據中心等應用;N3P預計今年下半年量產，將用于移動設備、消費電子、網通等;N3X、N3A則是為高速運算、車用客戶等定制化打造。

　　先進封裝方面，AI浪潮極大地推升了CoWoS需求，臺積電CoWoS先進封裝產能目前仍供不應求。據TrendForce集邦咨詢研究，NVIDIA Hopper平臺H100于今年第一季短缺情形逐漸紓解，屬同平臺的新品H200于第二季后逐漸放量，第三季新平臺Blackwell將進入市場，第四季擴展到數據中心客戶。但今年應仍以Hopper平臺為主，包含H100、H200等產品線;根據供應鏈導入Blackwell平臺進度，預計今年第四季才會開始放量，占整體高階GPU比例將低于10%。

　　TrendForce集邦咨詢表示，屬Blackwell平臺的B100等，其裸晶尺寸(die size)是既有H100翻倍，估計臺積電(TSMC)2024年CoWos總產能年增來到150%，隨著2025年成為主流后，CoWos產能年增率將達7成，其中NVIDIA需求占比近半。HBM方面，隨著NVIDIA GPU平臺推進，H100主搭載80GB的HBM3，至2025年的B200將達搭載288GB的HBM3e，單顆搭載容量將近3～4倍成長。而據三大原廠目前擴展規(guī)劃，2025年HBM生產量預期也將翻倍。

　　未來，隨著人工智能(AI) 訓練模型推出更強大的運算資料中心，AI加速器的硬體需求將進一步提升，還將進一步抬升CoWoS先進封裝產能。業(yè)界人士分析指出，AI 加速器不采最前瞻先進制程，但卻需依靠先進封裝技術，國際半導體廠誰能從臺積掌握更多先進封裝產能，就決定市場滲透率與掌握度。

　　近期全面掌舵的臺積電新任董事長魏哲家，在6月4日股東大會上表示，目前所有的AI半導體全部是由臺積電生產，并暗示自己正在考慮提高臺積電AI芯片的生產價格。的確，目前能設計AI GPU的，不止英偉達一家。但能生產AI GPU的，目前只有臺積電一家。

　　臺積電目前正在加速擴充CoWoS產能，供應鏈證實，臺積電增添CoWoS相關設備預估第三季到位，并要求設備廠增派工程師全面進駐龍?zhí)禔P3、竹南AP6、中科AP5 等廠，除竹南廠AP6C，中科廠原只進行后段oS，也將陸續(xù)轉成CoW 制程，嘉義則在整地階段，進度將超前銅鑼。