半導體產業將迎來合縱連橫新生態時代
由英特爾(Intel)、意法半導體(ST)和FranciscoPartners合資成立的半導體公司Numonyx(恒憶)于日前正式成立，于荷蘭注冊登記，總部設于瑞士，Numonyx初期的主要營運將針對非揮發性內存提供系統服務并整合產品研發與制造，以因應DSC、MP3/PMP、手機、計算機等各項終端產品的創新應用。Numonyx營運事業分割自英特爾(Intel)NORFlash與意法半導體(ST)NANDFlash部分，2007年來自此兩大公司原事業部門的營收合計約達36億美元。目前ST持有48.1%的股權，Intel持有45.1%，而FranciscoPartners則投資1.5億美元，取得6.3%的股權。
目前Numonyx主要營業項目可區分為兩大主要區塊，第一部份為系統設計服務，范圍涵蓋汽車用、消費性電子產品、工業用、計算機與周邊配備、記憶卡制程與無線通訊技術等解決方案；第二部份則為儲存技術相關技術與產品制造，內容包含NAND、NOR、MCP、PCM、記憶卡與軟件應用開發。
結合了Intel與ST在產品開發與專業技術的優勢，使Numonyx具備良好的先天條件 ，足以協助客戶在效能提升與具競爭力的成本間取得平衡，目前Numonyx已經于新加坡以65nm技術生產8吋NOR內存芯片，估計于2009年之前可望提升至45nm制程，以更為先進的技術降低成本。此外，該公司也開發了新的堆棧與封裝技術，提供更為彈性與節省空間的商品組合。至于NANDFlash的生產部分，目前主要與Hynix合作于中國無錫以45nm與55nm制程技術生產NANDFlash，無錫廠的產能于Numonyx成立后將會視需求進行調整，而產出部分將依據Hynix與ST對無錫廠的股份持有分享產能。
Numonyx的優勢在于整合Intel與ST的先進制程技術與原本的市場滲透率，另外承接自此兩大公司的專利也使其于初期即具備極佳的競爭優勢，目前專利范圍涵蓋NOR、NAND、PCM、處理器與半導體封裝技術等。對Numonyx而言，除了繼續承接Intel與ST的既有合約外，本身也擁有晶圓制造、組裝與測試的完整制程，目前的廠房分布于意大利、以色列與新加坡，雖然部分廠房目前仍處于閑置狀態，不過未來仍可視市場需求調整NAND、NOR與其它產品的生產。
在目前Numonyx各項技術研發中，最令人關注的是PCM(PhaseChangeMemory)內存制程技術，相較于目前的內存產品，PCM能提供低于傳統內存功率耗損但卻更為迅速的讀寫速度，并且同時具備位可變性(bitalterability)的優點，將目前分歧的內存優點整合于一，減低目前不同內存產品的個別缺失，PCM內存計劃于2009年初進行試量產，順利的話，將于2009年底或2010年初正式量產推出。
由于目前STMicro/Hynix，Intel/Micron及SanDisk/Hynix在NANDFlash領域都有技術合作的聯盟關系，因此Numonyx的成立不啻為NANDFlash產業開啟了合縱連橫的新生態，我們也預期在研發與廠房投資日益龐大，且景氣波動劇烈的NANDFlash產業，未來廠商為分散營運及投資風險而實行的各種策略聯盟模式也將益發盛行。
目前Numonyx主要營業項目可區分為兩大主要區塊，第一部份為系統設計服務，范圍涵蓋汽車用、消費性電子產品、工業用、計算機與周邊配備、記憶卡制程與無線通訊技術等解決方案；第二部份則為儲存技術相關技術與產品制造，內容包含NAND、NOR、MCP、PCM、記憶卡與軟件應用開發。
結合了Intel與ST在產品開發與專業技術的優勢，使Numonyx具備良好的先天條件 ，足以協助客戶在效能提升與具競爭力的成本間取得平衡，目前Numonyx已經于新加坡以65nm技術生產8吋NOR內存芯片，估計于2009年之前可望提升至45nm制程，以更為先進的技術降低成本。此外，該公司也開發了新的堆棧與封裝技術，提供更為彈性與節省空間的商品組合。至于NANDFlash的生產部分，目前主要與Hynix合作于中國無錫以45nm與55nm制程技術生產NANDFlash，無錫廠的產能于Numonyx成立后將會視需求進行調整，而產出部分將依據Hynix與ST對無錫廠的股份持有分享產能。
Numonyx的優勢在于整合Intel與ST的先進制程技術與原本的市場滲透率，另外承接自此兩大公司的專利也使其于初期即具備極佳的競爭優勢，目前專利范圍涵蓋NOR、NAND、PCM、處理器與半導體封裝技術等。對Numonyx而言，除了繼續承接Intel與ST的既有合約外，本身也擁有晶圓制造、組裝與測試的完整制程，目前的廠房分布于意大利、以色列與新加坡，雖然部分廠房目前仍處于閑置狀態，不過未來仍可視市場需求調整NAND、NOR與其它產品的生產。
在目前Numonyx各項技術研發中，最令人關注的是PCM(PhaseChangeMemory)內存制程技術，相較于目前的內存產品，PCM能提供低于傳統內存功率耗損但卻更為迅速的讀寫速度，并且同時具備位可變性(bitalterability)的優點，將目前分歧的內存優點整合于一，減低目前不同內存產品的個別缺失，PCM內存計劃于2009年初進行試量產，順利的話，將于2009年底或2010年初正式量產推出。
由于目前STMicro/Hynix，Intel/Micron及SanDisk/Hynix在NANDFlash領域都有技術合作的聯盟關系，因此Numonyx的成立不啻為NANDFlash產業開啟了合縱連橫的新生態，我們也預期在研發與廠房投資日益龐大，且景氣波動劇烈的NANDFlash產業，未來廠商為分散營運及投資風險而實行的各種策略聯盟模式也將益發盛行。
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