阻變存儲器器件研究取得新進展

CuZrO2CuPt結構的RRAM單元的I-V曲線

中科院微電子所劉明研究員領導的下一代非揮發性半導體存儲器研究組，最近在阻變存儲器領域取得進展，在最新一期的《電子器件快報》（IEEEElectronDeviceLetters）上發表了題為“NonpolarNonvolatileResistiveSwitchinginCuDopedZrO2”的研究論文。這是該研究組繼去年在權威期刊《應用物理快報》上發表兩篇關于摻雜二元氧化物的阻變效應以來，在該領域取得的又一最新進展。

　在阻變存儲器（RRAM）的研究中，劉明領導的研究組把研究的注意力集中在材料組分簡單、制造工藝與CMOS兼容的二元金屬氧化物上，創新性地研究了摻雜二元金屬氧化物的電阻轉變特性。實驗結果發現在二元金屬氧化物中摻雜可以有效地提高器件的成品率，這項結果使得摻雜的二元金屬氧化物材料具有很大的RRAM的應用潛力。近期該研究組還基于已經深入研究的Cu/ZrO2:Cu/Pt材料結構，在國內率先制備了8×8的64位阻變存儲器交叉陣列，所成功制備的存儲陣列最高存儲密度達到277.78Mb/cm2。