阻變存儲(chǔ)器器件研究取得新進(jìn)展

CuZrO2CuPt結(jié)構(gòu)的RRAM單元的I-V曲線

中科院微電子所劉明研究員領(lǐng)導(dǎo)的下一代非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研究組，最近在阻變存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得進(jìn)展，在最新一期的《電子器件快報(bào)》（IEEEElectronDeviceLetters）上發(fā)表了題為“NonpolarNonvolatileResistiveSwitchinginCuDopedZrO2”的研究論文。這是該研究組繼去年在權(quán)威期刊《應(yīng)用物理快報(bào)》上發(fā)表兩篇關(guān)于摻雜二元氧化物的阻變效應(yīng)以來，在該領(lǐng)域取得的又一最新進(jìn)展。

　在阻變存儲(chǔ)器（RRAM）的研究中，劉明領(lǐng)導(dǎo)的研究組把研究的注意力集中在材料組分簡單、制造工藝與CMOS兼容的二元金屬氧化物上，創(chuàng)新性地研究了摻雜二元金屬氧化物的電阻轉(zhuǎn)變特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)在二元金屬氧化物中摻雜可以有效地提高器件的成品率，這項(xiàng)結(jié)果使得摻雜的二元金屬氧化物材料具有很大的RRAM的應(yīng)用潛力。近期該研究組還基于已經(jīng)深入研究的Cu/ZrO2:Cu/Pt材料結(jié)構(gòu)，在國內(nèi)率先制備了8×8的64位阻變存儲(chǔ)器交叉陣列，所成功制備的存儲(chǔ)陣列最高存儲(chǔ)密度達(dá)到277.78Mb/cm2。