三星攜手海力士開發(fā)下一代半導體技術
原本互相競爭的三星電子和海力士為研發(fā)下一代半導體、國際標準化和擴大設備及材料國產化，決定攜手合作。從9月份開始，雙方共同研發(fā)兆兆位級(萬億比特)下一代半導體“STT-R隨機存儲器”的原創(chuàng)技術。
兩家公司計劃從2012年開始重點研發(fā)“STT-M隨機存儲器”，以滿足逐漸出現(xiàn)的市場需求?！癝TT-M隨機存儲器”是下一代存儲器中性能最好的產品，因此，一旦確?；A技術，就可以每年節(jié)約5億美元的專利使用費。
此外，為提高半導體設備及材料的國產化，三星電子和海力士還決定在明年年底前追加購買6463億韓元的國產設備和材料。
兩家公司計劃從2012年開始重點研發(fā)“STT-M隨機存儲器”，以滿足逐漸出現(xiàn)的市場需求?！癝TT-M隨機存儲器”是下一代存儲器中性能最好的產品，因此，一旦確?；A技術，就可以每年節(jié)約5億美元的專利使用費。
此外，為提高半導體設備及材料的國產化，三星電子和海力士還決定在明年年底前追加購買6463億韓元的國產設備和材料。
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