65nm技術(shù)開發(fā)的FeRAM材料存儲能力高達(dá)256Mb
東京理工大學(xué)和富士通微電子已經(jīng)聯(lián)合開發(fā)出用于新一代非易失性鐵電隨機(jī)存儲器（Ferroelectric Random Access Memory，F(xiàn)eRAM）的材料和工藝技術(shù)。 這種改進(jìn)的鉍、鐵、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO）能使FeRAM設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲容量提高到現(xiàn)在容量的五倍。
采用65nm工藝技術(shù)就可以將存儲容量至少提高到256Mb，工作在1.3V電壓下的功耗是現(xiàn)有產(chǎn)品的一半。
BFO是由鉍、鐵和氧原子構(gòu)成的具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛（PZT或Pb（Zr，Ti）O3），它的電荷存儲能力低，可升級性有限。PZT的技術(shù)局限在130nm節(jié)點就會反映出來，因為隨著存儲單元區(qū)的減少，對極化的要求也越來越高。
隨著對BFO的深入開發(fā)，可以實現(xiàn)256Mb的大容量FeRAM，這種FeRAM與現(xiàn)有的1Mb產(chǎn)品相比，密度將會高出兩個等級。密度的提高使得FeRAM的應(yīng)用將在新的領(lǐng)域（如快速啟動，它使計算機(jī)在開機(jī)后能夠立刻使用）得到擴(kuò)展，而不再僅限于在安全應(yīng)用領(lǐng)域。FeRAM還可以用于電子紙設(shè)備，該設(shè)備能讓用戶瀏覽和閱讀傳統(tǒng)上印刷在紙張上的大量信息。欲了解更多信息，請訪問http://us.fujitsu.com。
[此信息未經(jīng)證實，僅供參考]
采用65nm工藝技術(shù)就可以將存儲容量至少提高到256Mb，工作在1.3V電壓下的功耗是現(xiàn)有產(chǎn)品的一半。
BFO是由鉍、鐵和氧原子構(gòu)成的具有鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛（PZT或Pb（Zr，Ti）O3），它的電荷存儲能力低，可升級性有限。PZT的技術(shù)局限在130nm節(jié)點就會反映出來，因為隨著存儲單元區(qū)的減少，對極化的要求也越來越高。
隨著對BFO的深入開發(fā)，可以實現(xiàn)256Mb的大容量FeRAM，這種FeRAM與現(xiàn)有的1Mb產(chǎn)品相比，密度將會高出兩個等級。密度的提高使得FeRAM的應(yīng)用將在新的領(lǐng)域（如快速啟動，它使計算機(jī)在開機(jī)后能夠立刻使用）得到擴(kuò)展，而不再僅限于在安全應(yīng)用領(lǐng)域。FeRAM還可以用于電子紙設(shè)備，該設(shè)備能讓用戶瀏覽和閱讀傳統(tǒng)上印刷在紙張上的大量信息。欲了解更多信息，請訪問http://us.fujitsu.com。
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