高端集成電路制造裝備領(lǐng)域誕生“中國(guó)芯”

國(guó)家863計(jì)劃集成電路制造裝備重大專項(xiàng)“100nm（納米）高密度等離子體刻蝕機(jī)和大角度離子注入機(jī)”，日前通過了科技部與北京市組織的項(xiàng)目驗(yàn)收。其中，刻蝕機(jī)申報(bào)發(fā)明專利135項(xiàng)，擁有軟件版權(quán)6項(xiàng)；注入機(jī)申請(qǐng)了核心發(fā)明專利26項(xiàng)。
　　與此同時(shí)，北京北方微電子公司、北京中科信公司與國(guó)內(nèi)著名集成電路企業(yè)分別簽訂了刻蝕機(jī)和離子注入機(jī)的批量采購(gòu)合同，這是國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)備企業(yè)第一次成為主流生產(chǎn)廠商的設(shè)備供應(yīng)商。據(jù)介紹，北京電子控股公司聯(lián)合清華大學(xué)、北京大學(xué)、中科院、七星集團(tuán)等單位共同組建的北方微電子公司主要實(shí)施等離子刻蝕機(jī)的自主研發(fā)；中國(guó)電子科技集團(tuán)聯(lián)合48所、45所組建的北京中科信電子裝備公司則主要承擔(dān)離子注入機(jī)的攻關(guān)任務(wù)。
　　專家指出，100nm離子刻蝕機(jī)和離子注入機(jī)的研制成功，意味著我國(guó)科技人員僅用3年多的時(shí)間就走完了發(fā)達(dá)國(guó)家走了10年的路，使我國(guó)高端集成電路核心設(shè)備的技術(shù)水平直接跨越了五個(gè)技術(shù)代，并首次實(shí)現(xiàn)了高端集成電路裝備的“中國(guó)創(chuàng)造”。
　　集成電路裝備產(chǎn)業(yè)已成為高技術(shù)裝備工業(yè)的典型代表。據(jù)預(yù)測(cè)，到2010年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的投資總額累計(jì)將達(dá)到3500億元，其中大部分為集成電路制造裝備投資。面對(duì)急速增長(zhǎng)的市場(chǎng)，我國(guó)的集成電路裝備制造業(yè)在生產(chǎn)規(guī)模、研發(fā)水平、投資強(qiáng)度及人才聚集等方面都存在較大的差距，尚未形成可以支撐自身可持續(xù)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，我國(guó)已建和在建的8英寸以上集成電路生產(chǎn)線的核心設(shè)備幾乎完全依賴進(jìn)口，缺乏核心競(jìng)爭(zhēng)力和自主創(chuàng)新能力導(dǎo)致我國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)在核心技術(shù)方面受制于人。
　　“十五”期間，科技部將“集成電路制造裝備”課題列為863計(jì)劃重大專項(xiàng)，采用“業(yè)主負(fù)責(zé)、集中投入、重點(diǎn)攻關(guān)、培育企業(yè)”的方式，開展了“100nm高密度等離子體刻蝕機(jī)”、“100nm大角度離子注入機(jī)”等核心裝備的技術(shù)攻關(guān)。其中由北京市組織實(shí)施的“8英寸100nm多晶硅刻蝕機(jī)和大傾角離子注入機(jī)”成功完成了產(chǎn)品研制工作，并實(shí)施了近一年的檢驗(yàn)、考核，整個(gè)考核過程完全按照國(guó)際化驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)?？己私Y(jié)果表明，國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)與注入機(jī)的設(shè)備設(shè)計(jì)參數(shù)、硬件性能參數(shù)、工藝基本參數(shù)等指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際同類生產(chǎn)設(shè)備的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
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