Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有諸如超低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷等高性能指標(biāo)
賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。
今天發(fā)布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術(shù)，使效率和功率密度達(dá)到新的水平。器件的條帶設(shè)計(jì)加上更小的裸片尺寸和端接，使柵極電荷比前一代方案低50%，同時(shí)提高了開關(guān)速度，降低了導(dǎo)通電阻和輸入電容。
400V、500V和600V器件的導(dǎo)通電阻分別為0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的導(dǎo)通電阻意味著極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，能夠在服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、等離子切割、電池充電器、熒光燈、高強(qiáng)度放電(HID)照明、半導(dǎo)體設(shè)備和電磁加熱的高功率、高性能開關(guān)電源應(yīng)用中節(jié)約能源。
D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的柵極電荷分別為9nC、6nC和45nC，具有最佳的柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該值是用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)(FOM)，400V、500V和600V器件的FOM分別為7.65 Ω-nC、15.6 Ω-nC和12.3 Ω-nC。
新的D系列MOSFET采用簡單的柵極驅(qū)動(dòng)電路、非常耐用的本體二極管，易于設(shè)計(jì)到更緊湊、更輕、發(fā)熱更少的終端產(chǎn)品中。器件符合RoHS指令，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，雪崩(UIS)定級讓器件能夠穩(wěn)定可靠地工作。
器件規(guī)格表：
|
型號 |
電壓 (V) |
ID @ 25 ºC (A) |
RDS(ON) @ max 10 V (Ω) |
Qg 典型值 (nC) |
封裝 |
|
SiHP6N40D |
400 |
6 |
1.0 |
9 |
TO-220 |
|
SiHF6N40D |
400 |
6 |
1.0 |
9 |
TO-220F |
|
SiHP10N40D |
400 |
10 |
0.55 |
15 |
TO-220 |
|
400 |
10 |
0.55 |
15 |
TO-220F | |
|
SiHG25N40D |
400 |
25 |
0.17 |
44 |
TO-247 |
|
SiHP25N40D |
400 |
25 |
0.17 |
44 |
TO-220 |
|
SiHU3N50D |
500 |
3 |
3.0 |
6 |
IPAK/TO-251 |
|
SiHD3N50D |
500 |
3 |
3.0 |
6 |
DPAK/TO-252 |
|
SiHD5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
DPAK/TO-252 |
|
SiHP5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
TO-220 |
|
SiHF5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
T-Max® |
|
SiHU5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
IPAK/TO-251 |
|
SiHP8N50D |
500 |
8 |
0.85 |
15 |
TO-220 |
|
SiHF8N50D |
500 |
8 |
0.85 |
15 |
TO-220F |
|
SiHP14N50D* |
500 |
14 |
0.40 |
30 |
TO-220 |
|
SiHG14N50D* |
500 |
14 |
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