思卡爾通過射頻功率LDMOS晶體管為廣播電視發(fā)射器設立了新基準

2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市–飛思卡爾半導體(NYSE:FSL)宣布推出RF功率LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性，專門面向UHF廣播電視應用而設計。

　　作為飛思卡爾RF功率LDMOS晶體管系列的最新成員，MRFE6VP8600H與其上一代產(chǎn)品相比輸出功率提高39%，其設計在滿足ATSC、DVB-T和ISDB-T等許多主要數(shù)字傳輸標準要求的同時帶來最高性能。MRFE6VP8600H為電視發(fā)射機制造商和廣播公司提供了顯著優(yōu)勢。例如，晶體管可以在完整廣播頻段中交付25W的線性功率（超過600W峰值包絡功率），并可以帶來極高的效率（通常在860MHz時為30%，當采用Doherty配置時可高達45%）。

　　UHF頻段范圍從470MHz到860MHz，廣播公司使用這些頻段無線傳輸電視信號。目前，絕大多數(shù)采用數(shù)字廣播的電視臺都在使用UHF頻段。

　　飛思卡爾RF部門副總裁兼總經(jīng)理RituFavre表示，“新的MRFE6VP8600H再次加強了飛思卡爾提供客戶發(fā)展所需的卓越性能和效率的持續(xù)承諾，即便在面對極為嚴格的市場要求的行業(yè)中亦是如此。該新產(chǎn)品的推出強調(diào)了飛思卡爾具有標志性的運營方針，即利用其對網(wǎng)絡市場的深入了解，通過智能、系統(tǒng)級的設計流程實現(xiàn)性能和效率收益。”

　　MRFE6VP8600H具有更高的RF輸出和效率，可降低晶體管的總數(shù)和指定輸出功率所需的合成階段，與上一代固態(tài)系統(tǒng)相比，可幫助簡化發(fā)射器設計并提高可靠性。與上一代產(chǎn)品相比，基于MRFE6VP8600H的發(fā)射器使用的電量最高可節(jié)省15%，從而可節(jié)省大量運營成本。

　　MRFE6VP8600H是同類產(chǎn)品中最耐用的RF功率LDMOS晶體管。當由其全額定RF輸出功率驅(qū)動時，該設備在所有相位角驅(qū)動超過65:1的阻抗失配(VSWR)時都不會出現(xiàn)性能下降，即使由兩倍的額定輸入功率驅(qū)動。晶體管的耐用性使它在天線結(jié)冰、輸電線路故障或操作錯誤等不利條件下能夠更加可靠，即便是在由預失真系統(tǒng)創(chuàng)建的驅(qū)動峰值出現(xiàn)時。

　　另外，MRFE6VP8600H可輕松應對由高選擇性信道濾波器導致的頻段外反射負載條件，以及采用DVB-T(8kOFDM)等高階調(diào)制技術的數(shù)字傳輸方案的高峰均比(PAR)特性。MRFE6VP8600H的增強耐用特點也使其可以采用經(jīng)簡化的發(fā)射器保護電路。

　　MRFE6VP8600H的主要規(guī)格包括：

　　•860MHz時具有125W平均RF輸出功率（DVB-T[8kOFDM]信號），19.3dB增益和30%的效率。

　　•600W峰值RF功率。

　　•可以采用ClassAB、Doherty或漏端調(diào)制放大器架構(gòu)設計，消除了對于針對每種架構(gòu)而優(yōu)化的專用設備的需求。

　　•集成靜電放電(ESD)保護在裝配過程中針對出現(xiàn)的雜散電壓提供電阻。

　　•當作為Doherty放大器的峰值階段運行時，-6V至+10V的擴展負柵-源電壓范圍可提高性能。

　　•封裝在飛思卡爾的NI-1230螺栓式陶瓷氣腔封裝(MRFE6VP8600H)或NI-1230S焊接式陶瓷氣腔封裝中(MRFE6VP8600HS)。

　　定價和上市

　　MRFE6VP8600H/HS目前已投入生產(chǎn)。還為設計者提供了寬帶參考設計和其他支持工具。如需了解樣機和定價信息，請聯(lián)系飛思卡爾半導體公司、當?shù)仫w思卡爾銷售辦事處或授權經(jīng)銷商。如需了解有關MRFE6VP8600H的詳細信息，請訪問www.freescale.com/RFbroadcast，如需了解有關RF功率LDMOS解決方案的詳細信息，請訪問www.freescale.com/RFpower。

　　關于飛思卡爾半導體

　　飛思卡爾半導體(NYSE:FSL)是全球領先的半導體公司，為汽車、消費、工業(yè)和網(wǎng)絡市場設計并制造嵌入式半導體產(chǎn)品。公司總部位于德州奧斯汀市，并在全球范圍內(nèi)擁有設計、研發(fā)、制造和銷售機構(gòu)。