國家發改委全力支持新型電力電子器件產業化
從國家發改委了解到，為推動節能降耗，促進電力電子技術和產業的發展，國家發改委等有關部門將對安排補貼資金支持新型電力電子器件產業化。
隨著我國智能電網、高鐵建設、新能源汽車以及節能家電等市場的發展，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求量巨大。
記者了解到，2009年我國IGBT市場為53億元左右，而未來幾年隨著節能減排的推進，IGBT市場規模將年增20%-30%。
但是，由于我國只有少數小功率IGBT的封裝線，還不具備研發、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口，IGBT供應主要控制在英飛凌、三菱、ABB、富士等外資巨頭手中，技術上長期受制于人。對此，國家發改委明確表示，2010年將支持金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、IGCT、IGBT、超快恢復二極管(FRD)等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產業化。
據悉，國家發改委將組織實施新型電力電子器件產業化專項，鼓勵符合條件的企業申請國家補貼資金支持。
國家補貼資金主要用于項目的研究開發、購置研究開發及工程化所需的儀器設備、改善工藝設備和測試條件、建設產業化或工程化驗證成套裝置和試驗裝置、建設必要的配套基礎設施、購置必要的技術、軟件等。
隨著我國智能電網、高鐵建設、新能源汽車以及節能家電等市場的發展，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求量巨大。
記者了解到，2009年我國IGBT市場為53億元左右，而未來幾年隨著節能減排的推進，IGBT市場規模將年增20%-30%。
但是，由于我國只有少數小功率IGBT的封裝線，還不具備研發、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口，IGBT供應主要控制在英飛凌、三菱、ABB、富士等外資巨頭手中，技術上長期受制于人。對此，國家發改委明確表示，2010年將支持金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、IGCT、IGBT、超快恢復二極管(FRD)等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產業化。
據悉，國家發改委將組織實施新型電力電子器件產業化專項，鼓勵符合條件的企業申請國家補貼資金支持。
國家補貼資金主要用于項目的研究開發、購置研究開發及工程化所需的儀器設備、改善工藝設備和測試條件、建設產業化或工程化驗證成套裝置和試驗裝置、建設必要的配套基礎設施、購置必要的技術、軟件等。
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