領(lǐng)先全球 SanDisk和東芝公布15nm閃存芯片

　　半導(dǎo)體有多種類(lèi)型，又有不同容量、速度和作用，但最廣泛使用最常見(jiàn)的是NAND閃存(Flash)，因此針對(duì)此類(lèi)芯片的任何一次進(jìn)步都有可能影響到各個(gè)行業(yè)。威鋒網(wǎng)4月24日消息日前，SanDisk和東芝宣布，已經(jīng)完成了迄今為止全球最領(lǐng)先的15nmNAND閃存的研發(fā)。

　　一般而言，提到半導(dǎo)體器件的制造工藝多數(shù)都會(huì)涉及晶片上集成的晶體管之間的連線(xiàn)寬度。更小的連線(xiàn)寬度可以在不增加芯片體積的情況下，集成更多的晶體管，使芯片的功能得到大幅擴(kuò)展和提升。而且連線(xiàn)寬度越小，晶體管的極限工作能力提升幅度越大，意味著先進(jìn)的制造工藝將帶來(lái)更出色的性能，同時(shí)能效越高。

　　毫無(wú)疑問(wèn)，SanDisk和東芝將NAND閃存研發(fā)帶到了全新的里程碑，勢(shì)必在全球行業(yè)內(nèi)造成重大影響，因?yàn)?5nm的NAND閃存芯片制造工藝基本上是世界上最先進(jìn)的工藝。

　　據(jù)介紹，全球第二大NAND閃存廠(chǎng)商?hào)|芝將通過(guò)15nm工藝打造2bpcMLC128Gb(16GB)顆粒。得益于更先進(jìn)的工藝改進(jìn)了外圍電路，其傳輸速率相比上一代19nm的模塊提高了30%。

　　東芝表示，自家的15nmNAND閃存模塊將會(huì)于四月底在日本三重縣四日市的Fab5廠(chǎng)房開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)，針對(duì)平板電腦、智能手機(jī)和筆記本固態(tài)硬盤(pán)的NAND模塊將使用3bpc的顆粒。同時(shí)，SanDisk也將使用15nm生產(chǎn)2bpc和3bpc閃存顆粒，具體計(jì)劃在今年下半年。

　　目前半導(dǎo)體業(yè)務(wù)各大廠(chǎng)商都在追求新的工藝，但產(chǎn)能并不足以滿(mǎn)足供給，由于蘋(píng)果獲得了臺(tái)積電大量20nm訂單，Nvidia和AMD的新一代顯卡被迫停留在28nm工藝。另外，英特爾以及GlobalFoundries和三星合作的最新的14n制造工藝也做好了準(zhǔn)備，今年年底就能在市面上看到成品，但是良品率依然是這些半導(dǎo)體廠(chǎng)商的痛。