面向網(wǎng)絡通信開關(guān)式轉(zhuǎn)換器，IR推出N溝道MOSFET

國際整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N溝道HEXFET MOSFET。這些產(chǎn)品適用于目前網(wǎng)絡和通信系統(tǒng)中的開關(guān)轉(zhuǎn)換器應用，可以將阻容乘積這一參數(shù)改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均適用于AC-DC次級同步整流、隔離式中等功率DC-DC應用。

IR中國大陸及香港銷售總監(jiān)嚴國富指出：“MOSFET的導通狀態(tài)電阻和總柵極電荷性能對整個電路性能有著直接的影響。我們的三款新型SO-8封裝器件采用了IR的溝道MOSFET技術(shù)，可以大幅度降低RDS(on)和Qg，為轉(zhuǎn)換器電路帶來顯著的系統(tǒng)級優(yōu)勢。”

這些中電壓MOSFET配合IR的低電壓MOSFET和控制器IC，可組成中功率轉(zhuǎn)換器應用的次級芯片組。此外，當與SmartRectifier智能整流器IR1167一起應用于筆記本電腦適配器等AC-DC電源時，這些新型SO-8封裝器件則可替代兩個大型的TO-220 MOSFET及對應的散熱器，提升整體系統(tǒng)效率達1%。

100V IRF7853專為隔離式DC-DC總線轉(zhuǎn)換器的通信總線寬電壓輸入(36V-75V)的原邊橋拓撲結(jié)構(gòu)作了優(yōu)化。80V IRF7854則可用于有源ORing和熱插拔應用。三款MOSFET都是針對5-19V輸出的反激轉(zhuǎn)換器的次級同步整流和共振半橋式應用設計的，并可以作為18-36V輸入的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的正激拓撲結(jié)構(gòu)或推挽式拓撲結(jié)構(gòu)的原邊開關(guān)，在隔離式DC-DC應用中使用。這些新型HEXFET MOSFET現(xiàn)已供貨。