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      碳化硅晶圓技術突破4寸晶圓
      
			
      
				
      
					分類：行業資訊
					日期：2007-06-26 00:00:00
					來源：
									
      
			
      
			
      
			      據稱，該公司新開發出的碳化硅（SiC）晶圓能夠承受比普通硅晶圓高10倍的電壓，熱導率也要高出3倍。
            碳化硅化和物是在2,400攝氏度甚至更高的溫度下通過材料再結晶制備的。由于質量控制難度較高，當前還只能生產直徑為2至3寸的SiC晶圓，主要用于科研。
            Nippon Steel表示其在溫度控制等方面取得的技術突破使得生產4寸SiC晶圓成為可能，這一尺寸的晶圓已可用于實際的半導體生產線.       			
      
		
      
				
      
			
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